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    型號(hào):
    HTR-4立式4寸快速退火爐

    描述:HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。

    • 廠商性質(zhì)

      生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間

      2025-04-21
    • 訪問量

      1353
    詳細(xì)介紹
    品牌Microtrac/拜爾

    HTR-4立式4寸快速退火爐

     

                                                  

    快速退火爐.jpg


     

    HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。

    主要應(yīng)用領(lǐng)域:

    1.快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN)

    2.離子注入/接觸退火;

    3.金屬合金;

    4.熱氧化處理;

    5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等);

    6.多晶硅退火;

    7.太陽(yáng)能電池片退火;

    8.高溫退火;

    9.高溫?cái)U(kuò)散。

    產(chǎn)品特點(diǎn):

    ·         可測(cè)大尺寸樣品:可測(cè)單晶片樣品的尺寸為4英寸。

    ·         壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計(jì):高精度控制壓力,以滿足不同的工藝要求。

    ·         存儲(chǔ)熱處理工藝:方便工藝參數(shù)調(diào)取,提高實(shí)驗(yàn)效率,數(shù)據(jù)可查詢。

    ·         快速控溫與高真空:升溫速率可達(dá)150/s,真空度可達(dá)到10-5Pa

    ·         程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展:可實(shí)現(xiàn)不同溫度段的控制,進(jìn)行降溫段的自動(dòng)轉(zhuǎn)接,并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存,方便調(diào)用。采用MFC控制氣體流量,實(shí)現(xiàn)不同氣氛環(huán)境(真空、氮?dú)獾龋┫碌臒崽幚怼?/span>

    ·         腔體空間設(shè)計(jì):保證大尺寸樣品的溫場(chǎng)均勻性 ≤1%

    ·         全自動(dòng)智能控制:采用全自動(dòng)智能控制,包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。

    ·         超高安全系數(shù):采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,保障設(shè)備使用安全。

    ·          

    ·         主要技術(shù)參數(shù):

    最大樣品尺寸

    4英寸(直徑100mm

    控溫范圍

    RT~1200

    升溫速率(max

    150/s

    高溫段降溫速率(max

    1200/min

    控溫精度

    ±0.5

    溫場(chǎng)均勻性

    ≤1% 

    氣體流量

    標(biāo)配1MFC控制(氮?dú)猓┛蓴U(kuò)展至4

    壓力控制

    ~1bar±100Pa

    工藝條件

    支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛,一鍵設(shè)置通過軟件控制真空及通氣時(shí)間

    ·          


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