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    型號(hào):
    CGJDN-1200型超高溫介電溫譜儀

    描述:CGJDN-1200型超高溫介電溫譜儀是一款提供超高溫環(huán)境的高溫介電溫譜儀,該儀器采用紅外鍍金聚焦?fàn)t或電加熱技術(shù), 雙屏蔽高頻測(cè)試線纜、抗電網(wǎng)諧波模塊,確保高頻弱信號(hào)測(cè)量穩(wěn)定性. 支持4個(gè)樣品同步測(cè)量,提升效率, 可疊加0–5000V直流高壓,研究材料在外電場(chǎng)下的性能變化,是目前高校和研究所研究材料的重要設(shè)備。

    • 廠商性質(zhì)

      生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間

      2025-06-27
    • 訪問(wèn)量

      258
    產(chǎn)品分類PRODUCT

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    詳細(xì)介紹
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    應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,能源,電子/電池,電氣,綜合

    關(guān)鍵詞:超高溫,介電溫譜,阻抗 

    CGJDN-1200型超高溫介電溫譜儀

           CGJDN-1200型超高溫介電溫譜儀是一款提供超高溫環(huán)境的高溫介電溫譜儀,該儀器采用紅外鍍金聚焦?fàn)t或電加熱技術(shù), 雙屏蔽高頻測(cè)試線纜、抗電網(wǎng)諧波模塊,確保高頻弱信號(hào)測(cè)量穩(wěn)定性. 支持4個(gè)樣品同步測(cè)量,提升效率, 可疊加0–5000V直流高壓,研究材料在外電場(chǎng)下的性能變化,是目前高校和研究所研究材料的重要設(shè)備。

    主要測(cè)試指標(biāo):

           1、 Cp-D, Cp-Q, Cp-G, Cp-Rp, Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs, Lp-D, Lp-Q, Lp-G, Lp-Rp, Lp-Rdc ,Ls-D, Ls-Q, Ls-Rs, Ls-Rdc,R-X,Z-θd, Z-θr,G-B,Y-θd, Y-θr,Vdc-Idc;

          2、 高低溫介電測(cè)試系統(tǒng)用于高低溫環(huán)境下材料、器件的介電性能測(cè)試與分析,可測(cè)試以下參數(shù)隨溫度(T)、頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規(guī)律:電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(?)、電導(dǎo)(B)、導(dǎo)納(Y)、損耗(D)、品質(zhì)因數(shù)(Q)等參數(shù),同時(shí)計(jì)算獲得反應(yīng)材料介電性能的復(fù)介電常數(shù)和介電損耗參數(shù)。

         3、 系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、方便,可靈活定制測(cè)試項(xiàng)目。測(cè)試材料的介電頻譜、阻抗頻譜、介電溫譜、阻抗溫譜、導(dǎo)納譜、cole-cole圖以及C-V特性。

    一、核心組成與工作原理?

    系統(tǒng)架構(gòu)?

    高溫測(cè)試平臺(tái)?:提供高溫環(huán)境(室溫至1200),采用紅外鍍金聚焦?fàn)t或電加熱技術(shù),控溫精度可達(dá)±0.1

    測(cè)試夾具?:三電極法設(shè)計(jì),鉑銥合金或氧化鋁-鉑金復(fù)合探針,支持真空氣氛環(huán)境測(cè)試,減少寄生電容干擾。.

    阻抗分析儀?:頻率范圍10Hz–50MHz,精度0.05%,支持復(fù)阻抗譜(Cole-Cole圖)及機(jī)電耦合系數(shù)分析。

    控制軟件?:集成Labview系統(tǒng),支持介電溫譜/頻譜、升溫程序(勻速/階梯/循環(huán))、數(shù)據(jù)自動(dòng)保存與異常保護(hù)。

    關(guān)鍵技術(shù)?

    抗干擾設(shè)計(jì)?:雙屏蔽高頻測(cè)試線纜、抗電網(wǎng)諧波模塊,確保高頻弱信號(hào)測(cè)量穩(wěn)定性1

    多通道測(cè)試?:支持4個(gè)樣品同步測(cè)量,提升效率410

    高壓擴(kuò)展?:部分型號(hào)(如GWGYJD-1000W)可疊加0–5000V直流高壓,研究材料在外電場(chǎng)下的性能變化

    主要技術(shù)參數(shù):

    1、探針臺(tái)外形尺寸:180*160*35mm±5mm;樣品臺(tái)可固定在光學(xué)平臺(tái)上,溫度控制器通過(guò)網(wǎng)線和計(jì)算機(jī)聯(lián)絡(luò);

    2、探針要求:鎢鋼鍍金探針,可滿足高溫下的介電溫譜測(cè)試;

    3、冷熱方式:電阻加熱;

    4、溫控范圍:RT~1200℃;

    5、溫度穩(wěn)定性:使用溫度<1000℃時(shí),溫度精度±0.1℃,且使用溫度≥1000℃時(shí)溫度精度±0.5℃;

    6、溫度分辨率:0.01℃;

    7、升降溫速率:全溫度區(qū)間0~30℃/min(可定點(diǎn)/程序段控溫)

    8、溫控方式:PID;

    9、溫度傳感器:熱電偶;

    10、視窗材質(zhì):石英玻璃(可手動(dòng)拆卸更換);

    11、視窗尺寸:φ25mm;

    12、探針:固定式探針*5;

    13、探針接口:BNC*5;

    14、樣品臺(tái)尺寸:35*35mm;

    15、樣品臺(tái)材質(zhì):陶瓷;

    16、樣品腔高度:≥6mm;

    17、腔室:氣密腔室;

    18、外殼冷卻:循環(huán)水。

    19、適配介電溫譜測(cè)試系統(tǒng)(4通道);提供4通道介電溫譜測(cè)試軟件;

    19.1、測(cè)試系統(tǒng)需自帶校準(zhǔn)程序,在電腦端操作控制探針臺(tái)升降溫速率,目標(biāo)溫度,可分段控制升溫速率,具備即時(shí)記錄溫度點(diǎn)。

    19.2、多頻率同時(shí)采集,操作簡(jiǎn)單,所有測(cè)試結(jié)果實(shí)時(shí)保存,測(cè)試過(guò)程曲線繪制。

    19.3、測(cè)試頻率:20Hz—2MHz;

    19.4、測(cè)試激勵(lì)電平:0至2Vrms/0至20mArms;

    19.5、測(cè)試指標(biāo):Cp-D, Cp-Q, Cp-G, Cp-Rp, Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs, Lp-D, Lp-Q, Lp-G, Lp-Rp, Lp-Rdc ,Ls-D, Ls-Q, Ls-Rs, Ls-Rdc,R-X,Z-θd, Z-θr,G-B,Y-θd, Y-θr,Vdc-Idc;

    19.6、測(cè)試精度:0.05%;

    19.7、測(cè)量時(shí)間:12ms(SHORT),118ms(MED),343ms(LONG)@1MHz;

    19.8、支持ALC自動(dòng)電平控制;

    19.9、可支持201點(diǎn)的掃頻測(cè)量,可編程,可任意設(shè)置頻率,測(cè)量范圍以及激勵(lì)條件并自動(dòng)繪制顯示阻抗隨頻率變化曲線;

    19.10、支持線纜夾具補(bǔ)償校準(zhǔn)以及電纜延長(zhǎng)補(bǔ)償功能。

     


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