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    型號(hào):
    HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

    描述:系統(tǒng)組成:HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測(cè)試應(yīng)用的是最新的KEITHLEY 進(jìn)口測(cè)試源表,配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡,極大提高了樣品的供電電流和測(cè)試樣品的霍爾電壓的量程和精度,寬電流供電和寬電壓測(cè)試范圍可以覆蓋市面上絕大多數(shù)的半導(dǎo)體器件。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、

    • 廠商性質(zhì)

      生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間

      2025-04-22
    • 訪問(wèn)量

      330
    詳細(xì)介紹
    品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
    應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,能源,電子/電池,綜合

    關(guān)鍵詞:濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù),半導(dǎo)體

    HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)


    系統(tǒng)組成:HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測(cè)試應(yīng)用的是最新的KEITHLEY 進(jìn)口測(cè)試源表,配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡,極大提高了樣品的供電電流和測(cè)試樣品的霍爾電壓的量程和精度,寬電流供電和寬電壓測(cè)試范圍可以覆蓋市面上絕大多數(shù)的半導(dǎo)體器件。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻 (Magnetoresistance)等等。

    系統(tǒng)參數(shù):

    我們可提供各類霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)用于教學(xué)和研究

    HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

    可測(cè)試材料:

    物理學(xué)參數(shù)

    載流子濃度(Carrier Density)

    103cm-3~ 1023cm-3

    遷移率(Mobility)

    0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec

    電阻率范圍(Resistivity)

    10-70hm*cm~ 10100hm*cm

    霍爾電壓(Hall voltage)

    10nV~ 200V

    霍爾系數(shù)

    ±10-5~ 1027cm-3/C

    可測(cè)試材料類

    半導(dǎo)體材料

    SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵氧體材料等

    低阻抗材料

    石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等

    高阻抗材料

    半絕緣的 GaAs,GaN,CdTe 等

    材料導(dǎo)電粒子

    材料的P型與N型測(cè)試


    磁鐵類型

    磁場(chǎng)可變電磁鐵

    磁場(chǎng)環(huán)境

    磁場(chǎng)大小

    2000mT(極頭間距為:10mm)

    1500mT(極頭間距為:20mm )

    1000mT(極頭間距為:30mm )

    800mT(極頭間距為:40mm)

    600mT(極頭間距為:50mm)

    霍爾效應(yīng)測(cè)試磁場(chǎng)

    霍爾效應(yīng)中極頭間距為 30mm,此時(shí)磁場(chǎng)最大為1000mT

    均勻區(qū)

    1%

    最小分辨率

    0.1Gs


    可選磁環(huán)境

    可根據(jù)客戶需求定制相關(guān)磁性大小的電磁鐵

    電學(xué)參數(shù)

    電流源

    ±0.1nA—±1000mA

    電流源分辨率

    0.01nA

    測(cè)量電壓

    ±10nV—±200V

    溫度環(huán)境


    80K~500K

    控溫精度

    0.1K


    其他配件

    遮光性

    外部安裝遮光部件,使得測(cè)試材料更加穩(wěn)定

    樣品尺寸

    10mm*10mm(標(biāo)準(zhǔn))

    16mm*16mm(最大)

    箱式機(jī)柜

    600*600*1000mm

    測(cè)試樣片

    提供中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所霍爾效應(yīng)

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試樣片及數(shù)據(jù):1 套

    (硅、鍺、砷化鎵、銻化銦)

    制作歐姆接觸

    電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等



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