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2016-07-08
+2019-09-23
+2017-08-24
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詳細介紹
| 品牌 | JINGPIN/晶品 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,電氣 |
BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導率測試裝置
前沿：
玻璃表面電阻率和體積電阻率：
此式在玻璃高黏度區(107~1013Pa·s)或低黏度區(《103Pa·s)是正確的,但兩者有不同的常數n。 而在中間區,指數n是變化的.電介質的溫度穩定性以比電阻等于100M0.cm,即1080·cm 的溫度TK-100表征。
在分析固態玻璃的電性質時,除體積電導率外,還必須考慮表面電導率。D在玻璃表面存在水化膜、低于100~120"C的溫度范圍內;
2.在玻璃表層可與周圍氣體介質進行氧化-還原反應的條件下;
3.在玻璃制品表面有人為的半導體膜、絕緣膜及透光膜的情況下,表面電導率較大,甚至有舉足輕重的作用。表面比電導率x和表面比電阻率o.是指邊長1cm的正方表面上的電導率(電阻率)。
當溫度低于100'C時,潮濕空氣中,玻璃的表面電導率比體積電導率大得多.表面電導率主要取決于玻璃的組成、空氣的濕度和溫度。 溫度和濕度增加,表面電阻率增加。
玻璃的表面狀態對表面電導率影響很大。玻璃表面涂層是改變玻璃表面電導率的方法。 如采用涂覆憎水層(如有機硅化合物、石蠟等)可降低玻璃表面導電性; 表面涂覆具有半導體性質的氧化物或金屬薄膜可增加玻璃表面電導性。
如果不特別說明,下面討論的是體積電性質。關于玻璃的導電機理,可從過程的活化能值推斷。活化能U。(見式p=A,e)玻璃體積電阻率p及電流傳導機理之間存在統計平均關系,即在P200c和T平衡條件中,氧化物玻璃發生電子導電的活化能值比陽離子導電時小。
圖4-6示出陽離子導電區和電子導電區的統計平均界線。 硫屬化物玻璃和氟化物玻璃不存在這種界線。玻璃的電導率與其化學組成、溫度及熱力史有關。堿金屬氧化物對玻璃電導率影響特別顯著,存在混合堿效應。
引人少量Al2O3時,形成[AlO4],電阻率降低,較多引入時,形成[AIOs],電阻率升高.當B203為[BO4]時,電阻率升高,當B203為[BO3]時,電阻率降低,高場強,高配位的離子如Y3+,La3+等填充在網絡空隙中,阻礙了金屬離子的移動,使電導率降低.電導率隨溫度的升高而增加,Tg以下,玻璃的結構相對穩定,可用下式表示:lgK=A-B/T(4-32)Tg~T.以上,玻璃結構的質點發生了重排,離子的電導活化能不再保持常數,上式不再適用.T以上,可用下株式表示:B1lgk=A1-元e(4-33)A1,B1,a1是與玻璃組成有關的常數。
在電真空工業中,常用TK-100(即電阻率為100M·cm時所需溫度)來衡量玻璃的電絕緣性.TK-100越高,玻璃的電絕緣性越好。熱處理對玻璃的電導率有很大的影響,離子導電的玻璃經淬火后其電導率較退火玻璃高,玻璃微晶化后能大大提高其電絕緣性,提高程度與析出晶相的種類及玻璃相的組成有關。
此外,分相也會影響玻璃的電導率,但不同的分相結構,影響也不同。
BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導率測試裝置是一款專門應用于熔融玻璃電導率測量的，它是一種在高溫下測量玻璃熔體的電導率(電阻率）的裝置。熔體的電導率是用雙電極法測量的,是目前研究高溫熔融玻璃電導率的重要設備。
二、儀器特點
1、多功能真空加熱爐，可實現高溫、真空、氣氛環境下進行測試
2、采用鉑材料作為導線、以減少信號衰減、提高測試精度
3、可以測量玻璃材料的電阻、電阻率
一、應用說明：
符合：符合GB/T31838、1410等
二、主要技術參數：
1、溫度：常溫--1400℃
2、電阻測量范圍：10^4Ω～10^16Ω
3、電阻測量精度： 當電阻≤1010Ω，電阻精度在2%以內，當電阻＞1010Ω，電阻精度在10%以內升溫速率0-10°C/min，典型值3°C/min
4、電極尺寸：25mm，38mm，50mm，樣品厚度2mm
5、電壓: 0~1000V
6、電極：三環電溫
7、控溫精度：±1°C
8、高溫環境：密封測試環境，N2氣氛，氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態的單原子分子（自備）
9、設置有排氣口，排氣口添加過濾裝置（如活性炭等）
10、軟件功能：可連續升溫測試，直接得到體積電阻率、表面電阻率隨溫度變化的曲線
11、溫控功能：可分段升溫測試，在某一溫度點設置持續時間，直接得到體積電阻率、表面電阻率隨時間變化的曲線
12、供電：220V±10%，50Hz
13、工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；
14、設備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm （以實際為準）
15、重量：30kg
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