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    型號:GWST-1000
    高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜

    描述:GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能,該系統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

    • 廠商性質

      生產廠家
    • 更新時間

      2025-03-19
    • 訪問量

      1771
    詳細介紹
    品牌BOROSA/德國產地類別國產
    應用領域電子/電池,道路/軌道/船舶,航空航天,公安/司法,電氣

    GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜,塊體功能)

    關鍵詞:四探針,電阻,方阻

     

    GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能,該系統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

    二、符合:

    1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

    2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

    3、符合美國 A.S.T.M 標準

    二、產品應用:

    1、測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;

    2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

    3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)電阻率/方阻

    4、納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻

    5、電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量

    6、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻

    三、主要技術參數

    溫度范圍:RT-1000℃
    升溫斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)
    控溫精度:±0.1℃
    電阻測量范圍:0.1mΩ~1MΩ
    電阻率測量范圍:100nΩ..cm~100KΩ .cm
    測量環境:惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
    測量方法:四線電阻法,探針法
    測試通道:單通道或是雙通道
    樣品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm
    電極材料:鉑銥合金電極(耐高溫,抗氧化)
    絕緣材料:99氧化鋁陶瓷
    數據存儲格式:自動分析數據,可以分類保存,樣品和測量方案結合在一起,生成系統所需的實驗方案,輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

    數據傳輸:USB
    符合標準:ASTM
    供電:220V±10%,50Hz
    工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;

    工作濕度:+40 ℃ 時,相對濕度高達 95%(無冷凝)
    設備尺寸: L360mm*W370mm*H510mm
    重量:22kg

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